据报道，SK海力士已顺利完成第五代高带宽存储器HBM3e的开发及性能评估，预计将于3月开始大规模生产，并向英伟达供货。据了解，HBM即高带宽存储芯片，是由多层DRAMdie（动态随机存取存储器的裸芯片）垂直堆叠制造，因其高带宽、低功耗、小体积等特性，被广泛应用于AI服务器场景中。当前，HBM3e是最新一代产品，由SK海力士率先发布，并被英伟达搭载到2023年发布的GPU芯片H200中。从市场前景来看，AI大发展带动AI服务器出货量持续提升，催化HBM需求持续增长。咨询公司Trendforce数据显示，2022年AI服务器出货量86万台，预计2026年AI服务器出货量将超过200万台，年复合增速29%。AI服务器出货量增长催化HBM需求爆发，叠加服务器平均HBM容量增加，预期到2025年，全球HBM市场规模达到约150亿美元，增速超过50%。在市场需求的拉动下，HBM的主要供应商SK海力士、三星和美光等国际存储芯片大厂，均在积极扩产。比如，SK海力士计划在2024年实现HBM产能翻倍；美光2024年资本开支约75亿至80亿美元，主要用于HBM量产。从产业链角度来看，HBM需求爆发，上游的原材料将深度受益。业内认为，HBM带来堆叠层数提升、散热需求升级，对封装材料及粉体颗粒性能提出更高要求，带动了具备高导热、低填充粘度、高性价比的球形氧化铝粉需求增加。据中泰证券测算，单颗HBM填料用量5克（包括高端球硅及Low-α球铝），预计2030年HBM用高端封装填料需求有望达到980吨左右。当前，球形氧化铝高端产品技术及下游认证壁垒高，市场主要由日企占领，在本土企业持续加大技术攻关背景下，一批瞄准高端市场、实现进口替代的本土企业，有望在未来两至三年迎来高速增长。A股公司中，在球形氧化铝粉领域，壹石通披露称，公司Low-α球形氧化铝产线调试已进入收尾阶段，日韩客户验证工作近期仍在持续推动，主要是针对客户的差异化、定制化需求进行逐步完善，目前相关工作接近收尾，待客户进一步反馈，公司尚未收到批量订单。此外，公司Low-α球形二氧化硅产品已实现量产，但存量产能较小，新产线规划了千吨级产能。联瑞新材表示，公司供货到先进封装材料的部分客户是日韩等全球知名企业，已配套并批量供应Low-α球硅和Low-α球铝等高性能产品。天马新材是国内最早一批研发球形氧化铝的企业，公司相关负责人表示，公司年产5000吨球形氧化铝生产线正处于设备安装阶段，预计今年6月有新产能释放。公司高纯氧化铝生产线计划于今年内完善，预计年产量几十吨，同时，包含高纯氧化铝、球铝、氮化铝等高端产品正在紧密研发升级中。从封装结构看，HBM主要采用CoWoS和TSV两种封装工艺。当前，HBM与GPU集成的主流解决方案为台积电的CoWoS封装工艺，该方案被广泛应用于A100、GH200等算力芯片中。HBM层与层之间通过TSV（硅通孔）及μbumps（微凸块）技术实现垂直互联，从而实现小尺寸与高带宽、高传输速度的兼容。上市公司层面，太极实业子公司海太半导体为SK海力士提供DRAM封装服务，有望获得后者HBM出货量爆发溢出的封装需求。SK海力士还持有海太半导体45%股权，二者形成深度绑定。通富微电具备2.5D/3D封装平台及超大尺寸FCBGA（倒装，一种封装工艺）研发平台，可为客户提供晶圆级和基板级Chiplet封测解决方案，已量产多层堆叠NAND Flash及LPDDR封装，是国内首家完成基于TSV技术的3DS DRAM封装开发的封测厂；其通过收购AMD苏州及AMD槟城各85%股权，实现与大客户AMD深度绑定，有望受益于AMD MI300芯片的大幅放量。在2.5D、3D封装领域，盛合晶微是本土最具有突破的公司，多家A股公司与其有合作。比如，德邦科技在互动易表示，公司正在与盛合晶微开展技术交流、产品送样等业务接洽，目前尚未有产品开始批量供货。艾森股份在电镀液及配套试剂、光刻胶及配套试剂上与盛合晶微有合作。