国产液冷跨过分水岭，从送样进入批量出货，Manifold先放量、冷板快接头跟进入核；强厄尔尼诺临近，空调冷年增长模式即将激活，内外销弹性双击全面强化——0723脱水研报
2026-07-23 19:58
来源：早知道/脱水研报
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摘要：
1、液冷：东吴证券指出，Rubin全面量产标志着液冷从可选方案升级为AI数据中心的刚性基础设施，2027年将进入业绩集中释放期。单柜液冷价值量约14万至16万美元，每GW液冷IT负载对应约49亿至77亿元设备市场空间，行业增长的核心驱动力是功率规模扩张，利润分化指向高性能冷板和高可靠连接件。核心公司：英维克、申菱环境、高澜股份、同飞股份、领益智造、奕东电子。
2、磷化铟：国信证券指出，日企收紧7N高纯红磷对华配额导致阶段性断供，精铟价格两年涨约180%，Lumentum预测AI驱动InP光通道出货量CAGR达85%。拓材科技30吨7N红磷量产、兴发集团攻坚电子级红磷技术、云南锗业投资1.89亿将产能从15万片扩至45万片，全球衬底三巨头密集扩产。核心关注：兴发集团、云南锗业、拓材科技、威顿晶磷、广东先导。
3、空调：2026年下半年空调内外销基数低，厄尔尼诺事件发生确认且NOAA判断2026年11月至2027年11月有63%概率出现强厄尔尼诺现象。复盘显示厄尔尼诺期间空调内外销弹性增长可观，冷年内销最高增61%、外销最高增45%，欧洲出口多个月份维持90%以上同比增速。核心公司：美的集团、格力电器、海尔智家、海信家电。
4、功率半导体：AI机柜功耗从10kW跃升至200kW乃至MW级，54V供电触及物理极限，800V DC架构成为必然选择。架构核心变化是AC/DC与DC/DC物理解耦，SiC承担Power侧、GaN承担IT侧，宽禁带器件由此打开系统性增量。四阶段演进2026至2029年逐步落地，相关公司包括天岳先进、芯联集成、斯达半导、英诺赛科、士兰微、时代电气等。
正文：
1、国产液冷跨过分水岭，从送样进入批量出货，Manifold先放量、冷板快接头跟进入核、最终拼成全球平台
东吴证券指出，液冷已从可选散热方案升级为AI数据中心的刚性基础设施，Rubin全面量产标志着行业进入业绩集中释放期。Vera Rubin NVL72单机架集成72颗GPU和多交换托盘，冷板、Manifold、快接头和CDU必须在设计阶段协同确定。制冷系统节省的电力可直接转化为GPU部署容量，热流密度、电力资源和交付构成三重刚性需求。英维克等头部企业已从送样验证跨入批量交付。
1）液冷的三重刚性：热密度、电力和交付不可回避
传统通用服务器机柜依靠芯片散热器、风扇和机房空调通过冷热通道逐级散热。机架级AI计算彻底打破了这套逻辑，GPU通过NVLink保持低时延互联后不能再靠拉大物理距离分散热量，CPU、交换芯片、网卡、DPU、内存和电源功耗同步提升，机柜变成了统一供电、统一互联、统一冷却的计算系统。继续增加风量只会推高风机功耗、噪声、压差和气流短路风险。
东吴证券提出液冷具备三重不可回避的刚性。第一，热流密度刚性：空气的体积热容量和导热能力有限，冷板直接贴近芯片能大幅缩短传热路径，处理风冷无法承担的局部高热流。第二，电力资源刚性：AI数据中心最稀缺的资源正从机位转向电力接入容量，制冷系统每少消耗1MW电力，理论上就能将更多电力分配给GPU。NVIDIA已将45℃温水液冷与动态Max-Q功率管理结合，把原本消耗在压缩机和静态功率冗余中的电力变成可运行的GPU和Token产出。第三，交付刚性：高密度机柜必须在进入数据中心前完成冷板、管路、快接头和Manifold测试，任何一个漏点或流量失衡都可能导致整柜无法上线。
Vera Rubin NVL72在单机架内集成72颗Rubin GPU、36颗Vera CPU、18个Compute Tray和9个NVLink Switch Tray，冷板、Manifold、快接头、母排、控制系统和数据中心CDU在设计阶段就需共同确定，液冷已成为服务器BOM与数据中心基础设施之间的连接层。
Rubin已在2026年5月底进入全面量产，英伟达披露全球供应链正在350余座工厂、30个国家同步爬坡，合作伙伴系统预计从2026年下半年开始交付。
2）每GW接近百亿的确定性支出，功率翻倍市场就翻倍
液冷设备市场不能简单按机柜数量测算，因为单柜功率越高，同样1GW负载需要的机柜数量反而越少。东吴证券采用新增液冷IT功率÷单柜功率×单柜液冷价值量的公式，以1美元兑6.78元人民币折算，分别用150kW和220kW两档测算，得到每1GW液冷IT负载对应4545至6667个机柜，柜内及二次侧液冷设备价值量约49亿至77亿元。
从这个公式可以清楚看到，行业的增长乘法在功率端，而不是价格端。即使未来CDU大型化和接口标准化使单位MW价格有所下降，只要全球AI数据中心功率规模持续翻倍，行业总需求就能持续扩张。
东吴证券测算，按新增液冷IT负载5GW至20GW，对应设备空间上下限分别达到216亿至1446亿元。这一测算尚未完整计入一次侧管网和集成冷站，本轮液冷周期的持续性远强于单纯依靠单一部件涨价的零部件行情。
Rubin级NVL72单柜液冷总价值量约14万至16万美元，柜内GPU、CPU及交换芯片冷板、Tray内Manifold、快接头和漏液检测合计约6万至7万美元，柜外CDU及二次侧管路分摊约8万至9万美元。CDU价值量最大但商业模式接近系统设备，利润率面临供应商增多和规模化的压力。冷板收入规模不及CDU，但并非普通金属加工件，必须与芯片封装和主板结构协同设计，满足低热阻、低压降和长期密封要求。
3）利润留在哪里：冷板的技术壁垒和快接头的客户黏性
Vera Rubin采用45℃温水、单相直触芯片液冷，冷却介质进入冷板后保持液态吸收芯片热量，再由CDU传递至设施侧。单相冷板供应链已形成成熟体系，OCP已建立水基冷却液、冷板、CDU和系统集成标准，数据中心运营商能沿用现有水处理和补液流程。至少在Rubin及Rubin Ultra主要放量周期内，单相冷板仍将占据绝对主流。
两相液冷利用冷媒汽化潜热吸收热量，理论上能处理更高热流密度，但系统复杂度远高于单相。冷媒沸腾后形成汽液两相流，需应对局部干涸、压力控制和密封材料兼容等问题。OCP虽已发布泵驱两相指南，但其现阶段任务仍是建立设计和运维规范。2026至2028年的产业增量，将首先来自单相冷板结构升级和液冷覆盖器件增加——英维克已披露在微通道冷板基础上开发射流冷板，并将覆盖范围由CPU、GPU扩展至计算ASIC、交换ASIC、内存、SSD和光模块。
从利润池看，各环节分化明显。CDU将获得最大收入增量，但英伟达已将MGX架构开放给OCP，建立超过80家全球合作伙伴，Rubin时代CDU份额大概率比GB200早期更加分散。冷板和快接头的价格压力相对更小——冷板需针对每代芯片平台重新设计并受批量良率制约，快接头承担泄漏风险，客户不会因小幅价差频繁切换。高可靠快接头一旦进入平台BOM，可跨多个ODM和服务器型号复制，客户黏性和资本回报率高于普通管路。Manifold和管路是国产份额提升最快的环节，但制造门槛低于冷板和高端快接头，竞争也更充分。
4）国产替代的三步台阶：从放量到入核再到平台
国内液冷产业此前主要服务于超算、通信和电力电子。Rubin周期中最大的变化是，国内企业开始由外围冷源和代工环节进入芯片平台、服务器ODM和海外云厂商的供应体系。东吴证券预计2026至2028年国产份额提升将呈现三段递进。
第一阶段，Manifold、管路和部分CDU率先放量，国内企业在精密制造和供应链响应上具有优势，且这些产品与芯片封装的耦合程度较低，客户导入速度快。申菱环境、高澜股份和同飞股份均已形成相关产品。
第二阶段，高可靠快接头和冷板进入核心BOM，考验的不再是能不能做，而是在长时间运行和批量制造中保持极低泄漏率与稳定热阻。英维克已披露部分产品开始规模采购，说明国内企业已进入这一阶段。
第三阶段，从零部件供应商升级为全球液冷平台，需要同时掌握冷板、连接、流体分配、CDU和设施侧冷源，并具备海外生产和服务能力。
一个标志性信号是英维克的量产验证。其2025年报披露，已形成从冷板、快接头、Manifold、CDU到冷却液、管路和冷源的端到端产品体系。BHS-AP冷板、UQD04快接头和机架式CDU通过英特尔测试，UQD系列在2024年进入英伟达MGX生态，2025年继续扩展，并为谷歌定制开发Deschutes 5 CDU。国内液冷企业已跨过只有样品、没有订单的阶段。当前的关键变量不再是能否进名单，而是实际份额和量产能力。
核心公司：
英维克（已形成从冷板、快速接头、Manifold、CDU、机柜到冷却液、管路和冷源的端到端液冷产品体系，UQD系列进入NVIDIA MGX生态，部分产品获主流算力芯片及设备制造商规模采购）；
申菱环境（已形成CDU、Manifold、管路及设施侧冷源产品，订单、产能、利润和现金流已共同进入上升周期）；
高澜股份（已形成CDU、Manifold、管路及设施侧冷源产品，提供核心部件突破后的高弹性）。
同飞股份；领益智造；奕东电子；金富科技。
2、AI引爆磷化铟需求，InP光通道出货量CAGR冲至85%，日企断供叠加核心材料涨价180%，国内企业迎来快速替代机遇
国信证券研报指出，AI算力正重塑磷化铟产业链供需格局。日企收紧高纯红磷配额导致阶段性断供，上游核心资源精铟价格两年涨约180%。AI数据中心驱动下，InP光通道出货量年复合增长率高达85%，全球衬底巨头掀起密集扩产潮。关注高纯红磷国产化攻关主力兴发集团及衬底产能扩张的云南锗业。
1）AI驱动需求爆发，光通道出货量CAGR达85%，磷化铟迎高景气周期
磷化铟作为具有直接带隙与高电子迁移率特性的III-V族化合物半导体，工作波段恰好覆盖光纤通信的最低损耗窗口，是高速光芯片不可替代的基底材料。800G光模块已成数据中心标配，1.6T进入测试部署阶段，每只光模块至少含一颗基于InP衬底的激光器芯片加一对探测器芯片，需求量呈指数级增长。
据Lumentum在2026年OFC投资者简报中表示，受AI数据中心需求驱动，用于EML、CW及UHP激光器的InP光通道出货量将实现约85%的年复合增长率。电信网络扩容与车载激光雷达等新兴应用则为需求侧提供多元增量。
磷化铟产业链上游主要为高纯金属铟 （≥99.99995%） 和高纯红磷等原材料。 其中，高纯铟作为锌铅冶炼的副产品，其价格受主金属矿产周期影响而波动。中游是产业链的核心，分为衬底制备和外延生长。衬底制备技术难度极高，主流采用液封直拉法（LEC），需要精确控制热场、压力和温度梯度以抑制晶体缺陷，这是各家厂商的核心技术壁垒。全球衬底产能主要集中在日本住友电工、美国 AXT（通过其中国子公司北京通美） 等少数几家企业手中。 下游为光芯片制造和光模块集成，最终应用于光通信、数据中心等领域。
2）核心原材料面临极高的技术壁垒与供给约束，日企断供7N红磷，国产替代全面提速
①电子级高纯红磷是磷化铟单晶生长的核心磷源，通常需要达到6N至7N级别，全球具备7N级量产能力的企业极为有限。日本NCI是全球电子级红磷龙头，其次是日本RASA工业。2026年，日企收紧对华7N高纯红磷配额，出现阶段性断供。这意味着国内磷化铟产业链的上游磷源面临“卡脖子”风险。
与此同时，国产替代正在破局。2026年6月，拓材科技年产30吨7N高纯红磷产品发布，成功实现规模化量产。广东先导微电子拥有年产24吨高纯红磷项目，威顿晶磷具备电子级红磷生产能力。兴发集团依托已掌握的电子级黄磷和电子级磷烷技术优势，正在推进电子级红磷生产制备技术攻关，若取得成功将打通磷化铟关键原材料的国产化替代路径。
②铟是磷化铟产业链的另一核心原料，极少独立成矿，主要伴生于锌铅锡矿中。全球铟供给高度集中，中国以760吨年产量占据全球69.1%份额，是第二大生产国韩国的4.7倍。中国拥有1100吨年产能，占全球总产能64.7%，产能利用率约69.1%。
AI和5G等新兴产业需求强劲拉动，中国精铟价格从2024年初约1950元每千克提升至2026年7月的5470元每千克，累计涨约180%。资源高度集中叠加AI需求爆发，上游资源品正在经历价格重估。
3）供需矛盾短期难解， 上游稀缺资源与衬底龙头长期受益
尽管全球巨头纷纷加码， 但受限于极高的长晶工艺壁垒与漫长的客户认证周期， 磷化铟衬底供需矛盾短期内难以缓解。据 QYResearch 预测，全球磷化铟晶圆市场规模将从 2025 年的 2.04 亿美元增至 2032 年的 4.88 亿美元（CAGR 为 13.5%）。 在硅光与薄膜铌酸锂等替代技术中短期内无法撼动 InP 本征优势的背景下， 磷化铟产业链正迎来需求爆发与供给重塑， 上游稀缺资源及具备大尺寸衬底量产能力的企业将长期受益于行业的高景气度。
对标：
上游高纯红磷国产替代：日企断供催生国产化机遇，国内企业加速突破6N/7N级量产：拓材科技、威顿晶磷、广东先导、兴发集团
中游磷化铟衬底产能扩张：寡头格局下全球厂商密集扩产，国产产能三倍跃升：住友电工、AXT、JX金属、云南锗业
3、强厄尔尼诺临近，空调冷年增长模式即将激活，内外销弹性双击全面强化
长江证券指出，世界气象组织、NOAA、中国国家气候中心相继确认热带太平洋地区已出现厄尔尼诺现象，且NOAA判断63%概率升级为强厄尔尼诺，至少延续至2026年冬季。复盘显示厄尔尼诺期间空调内外销弹性显著，当前2026年下半年内外销基数走低，厄尔尼诺有望进一步增强景气信心。核心公司：美的集团、格力电器、海尔智家、海信家电。
1）厄尔尼诺确认，升温信号全面强化
6月以来，世界气象组织、NOAA、中国国家气候中心相继确定热带太平洋地区已出现厄尔尼诺现象。WMO判断6至8月发生厄尔尼诺可能性为80%，至少持续到11月概率接近或超过90%，且至少为中等强度。NOAA判断厄尔尼诺大概率至少延续到2026年冬季，且2026年11月至2027年11月有63%概率出现强厄尔尼诺现象。
国家气候中心监测显示，Niño3.4海温指数6月第1至4候分别为1.31℃、1.51℃、1.54℃、1.71℃，较5月平均0.96℃呈明显增暖趋势，升温斜率陡峭。厄尔尼诺的增暖效应通常在次年达到峰值，且叠加全球变暖背景后高温事件不仅更容易发生，还可能更强、更持久。
据国家气候中心最新预测，预计2026年主汛期（6至8月）气候状况总体偏差。华东中南部、华中中南部、西南地区东部盛夏高温伏旱显著，台风活跃期较常年偏早，盛夏台风北上对东部沿海的风雨影响概率较大。
2）复盘验证，内外销弹性双击
参考2006年以来数据，空调内销量在厄尔尼诺事件期间景气表现多相对较好。从冷年口径看，2010冷年内销同比增长44%，2017冷年内销同比增长61%，2025冷年同比增长12%，增长态势明确。从2015冷年的经验来看，厄尔尼诺事件也可能带来强降雨对当年需求造成一定压制，而在事件发生的次年对应国内温度达到峰值，空调普遍较好增长。
定价方面，2012至2024年热夏阶段空调均价同步多呈提升态势，量的弹性并未以价的下行为代价。
外销景气同样可观。据产业在线，从冷年口径看，空调外销量2010冷年同比增长45%，2024冷年同比增长29%，2025冷年同比增长15%，厄尔尼诺期间外销弹性持续兑现。2016年厄尔尼诺事件期间，中国向欧洲出口量在多个月份维持90%以上同比增速，东南亚、非洲等区域亦表现较优。
分区域来看，亚非欧等偏东半球区域或更容易受到厄尔尼诺事件影响，对应在高温驱动下空调需求更加旺盛。2016年厄尔尼诺事件期间，中国向非洲、欧洲、北美、东南亚等区域出口景气表现较优。
3）低基数叠高温，景气窗口打开
2026年下半年空调品类内外销基数压力有望逐步迎来缓解。2025下半年国补力度趋弱叠加前期虹吸效应，空调内销于9月开始同比有所回落；同时关税政策反复波动叠加前期抢出口效应，空调外销亦呈现同比回落趋势。对应到2026年下半年，空调品类内外销基数压力有望逐步缓解，叠加厄尔尼诺事件带来的高温预期，内外销景气或有双击可能。
从过往复盘来看，厄尔尼诺事件在当年和次年多带来较为可观的空调品类内外销弹性增长。下半年的空调外销弹性或相对可期，国内今年6月以来相对多雨需求受到影响，而明年旺季或有望迎来高温环境为需求提供支撑，内销远期需求也值得关注。
厄尔尼诺确认升级叠加低基数，空调内外销弹性双击，白电龙头受益确定性高：美的集团、格力电器、海尔智家、海信家电。
4、AI机柜功率跃升推动800V DC架构升级，SiC与GaN分工确立，宽禁带器件打开系统性增量
东吴证券指出，AI数据中心供电架构正从54V向800V DC跃迁，这不是简单电压升级而是供电逻辑重构。AC/DC与DC/DC物理解耦后，SiC承担Power侧高压大功率、GaN承担IT侧高频高密度，宽禁带器件由此打开系统性增量空间。相关公司天岳先进、芯联集成、斯达半导、英诺赛科等。
1）功率密度升级倒逼AI机柜供电架构重构
随着AI机柜功率迈入百千瓦级并向兆瓦级演进，传统低压、大电流供电方式在铜耗、线缆、母排及电源空间占用方面面临明显瓶颈，推动数据中心供电架构向800VDC架构升级。
升级后供电系统能够降低导体的电阻损耗；节省机柜内空间占用；减少能量转换环节；便于储能及直流能源接入。
东吴证券认为，800VDC架构的本质变化，是将传统机柜内PSU承担的AC/DC与DC/DC功能解耦：AC/DC被移至独立的侧边柜；计算机柜内仅保留靠近负载的DC/DC降压环节。
两部分的优化目标由此分化：PowerRack不再与GPU计算设备争夺机柜空间，面对数十千瓦及更高功率，首要KPI是极致效率、高压大功率承载能力和长期可靠性；ITRack受主板面积和机柜空间严格约束，首要KPI是算力密度。
从功率半导体角度看，SiC器件能够在承受较高电压和较大功率的同时维持较低损耗，更适合PowerRack侧的大功率AC/DC；GaN器件因开关速度较快、开关过程中的损耗较低，更适合ITRack侧DC/DC。宽禁带功率器件由此打开成长空间。
2）800V DC架构的四阶段演进
东吴证券指出，800VDC架构未来或有四个阶段的演进路径。对于数据中心内功率半导体的主要价值量集中在电能变换环节，包括AC/DC、DC/AC及不同直流电压等级之间的DC/DC转换；此外，少量器件用于电子开关、热插拔、冗余切换和故障保护。
以每个阶段部署的路径、落地节奏，来看功率半导体的变化：
第一阶段中功率器件增量主要集中于PFC、LLC和BBU：英飞凌30kWPFC单模块含12颗1200VSiC与6颗650VGaN，折算1MW约612颗；ROHM全SiC方案约372—600颗/MW。Navitas10kWLLC单模块采用4颗650VGaN与16颗100VGaN；瑞萨高压BBU双向DC/DC则包含8个650VGaN基础开关位。
第二阶段中板载高降压比DC/DC成为GaN核心增量。EPC6kW800V-12V方案单机采用16颗150VGaN与32颗40VGaN；英飞凌、瑞萨则以650VGaN承担原边高压开关，副边采用多路40V硅MOSFET同步整流。
第三阶段功率器件增量转向MW级整流与800V直流保护。早期中央整流器或将以1200—1700V硅基IGBT或晶闸管为主，现有1700V模块已覆盖50—3600A；中长期SiC模块有望替代。各负载支路新增SSCB、eFuse及热插拔开关，主要采用IGBT、IGCT与SiC器件。
第四阶段由SST直连中压电网，功率器件增量集中于SST本体。SiC路线中，Microchip1.4MW方案采用42个1200V级联功率单元，升级至1700V后可降至30个；3.3kVSiC已用于5—10MW商业化SST，但整机模块数尚未披露；10kV样机使用6个10kVSiC模块和12颗1.2kVSiCMOSFET。GaN路线则以342个约4kVA低压单元级联构成1.25MWSST。
3）相关公司
上游材料及外延：天岳先进、天科合达（未上市）
代工：芯联集成
功率器件与模块：斯达半导、士兰微、华润微、扬杰科技、东微半导、英诺赛科、时代电气、新洁能、宏微科技、捷捷微电
研报来源：
1、东吴证券，王紫敬，S0600521080005，液冷：下一代AIDC基础设施，Rubin带来行业确定性。2026 年 07 月 22 日
2、国信证券，杨林，S0980520120002，基础化工行业红磷~磷化铟产业链专题：AI算力重塑供需格局，核心材料迎价值重估。2026年7月22日
3、长江证券，陈亮，S0490517070017，家用电器行业产业亮点之十四：厄尔尼诺气候下，如何展望空调需求。2026年7月23日
4、东吴证券，陈海进，S0600525020001，功率密度跃升驱动800VDC架构升级，宽禁带功率器件打开成长空间。2026年07月22日
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