据科技日报报道，美国麻省理工学院网站日前发布消息称，该学院的研究团队开发出一种基于芯片的太赫兹放大器-倍增器系统。该系统克服了现有技术限制，无需硅透镜即可实现更高的辐射功率。芯片产生的太赫兹信号峰值辐射功率为11.1分贝毫瓦，在现有技术中处于领先地位。由于这种低成本芯片可大规模制造，因此更容易集成到现有电子设备中，例如应用于检测隐藏物体的改进型安检扫描仪，或用于精确定位空气中的污染物的环境监测器等。 点评：科技日报指出，太赫兹波长比无线电波更短、频率更高，利用这种波可实现更快的数据传输速度、更精确的医学成像效果和更高分辨率的雷达系统。然而，要在半导体芯片上有效生成太赫兹波很困难。目前生成太赫兹波技术大多采用体积庞大且价格昂贵的硅透镜，否则无法产生足够辐射功率以供实际应用。但硅透镜往往比芯片本身还要大，这使得太赫兹波源难以集成到电子设备中。 中信建投指出，太赫兹频段介于0.1THz~10THz，相较于毫米波频段，其带宽更宽、波长也更短，因而太赫兹设备可以在极狭小的物理空间内集成超大规模天线阵列，产生超高增益的高方向性极窄波束用于补偿路径损耗。在通信领域，太赫兹信号带来的超高数据速率及极低传输时延。在感知领域，由于太赫兹信号极强的衰落及窄波束特性，其应用集中于局域感知场景，比如近距离超高精度定位和无线成像。 界面新闻指出，在太赫兹芯片设计领域，中科院上海微系统所等科研机构都有相关的投入。而在太赫兹芯片商用化领域，国内也有一些初创公司在做相关布局。 相关公司见主题库：太赫兹  *免责声明：文章内容仅供参考，不构成投资建议 *风险提示：股市有风险，入市需谨慎