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0351-5665501

慧研智投科技有限公司声明

近期,我公司发现某些不法个人冒充公司营销人员向投资者收取高额的费用,甚至以保证投资收益回报等方式吸引投资者从事证券投资或其他金融相关业务,以骗取服务费或投资理财款,严重侵害了投资者及我公司的合法利益,对我公司声誉造成恶劣影响。

对此公司郑重声明:

1、我公司从事的业务范围仅限于证券投资咨询服务,未开展期货、外汇、原油、贵金属等投资业务。如投资者收到假借我公司名义推广上述业务的电话、微信等,请投资者保持警惕、谨防上当受骗。

2、我公司对外统一使用公司财户收取服务费用,且严禁营销人员以私人账户收款,如有疑问可拨打总部电话0351-5665501、 4001066887进行核实。

3、郑重警告正在冒用我公司名义进行销售及其他活动的任何个人或组织,立即停止此类非法行为。对于损害我公司合法权益的行为,我公司保留追究诉诸法律的权利。

4、任何冒用我公司名义引起的一切行为后果与我公司无关,敬请区分。

请各位投资者提高警惕,谨防上当受骗,切实维护好自身权益。

特此声明!

慧研智投科技有限公司

2024-11-22

关于变更我司服务监督受理电话的公告

因经营需要,我司服务监督电话自2018年12月24日起进行变更,统一使用 0351-5665501,我司将竭诚为您服务。

特此公告!

慧研智投科技有限公司

2018-12-24

慧研智投 慧研智投资讯 今日头条 AI推动下行业正快速转向供不应求,多家大厂连续宣布提价,Q2将迎来明确拐点
AI推动下行业正快速转向供不应求,多家大厂连续宣布提价,Q2将迎来明确拐点
2025-03-18 08:19
作者:SYSTEM
来源:早知道/脱水研报
【本文来自持牌证券机构,不代表平台观点,请独立判断和决策】 供给侧,海外存储原厂针对性减产和去库存,部分NAND等产品价格拐点显现。 需求侧,一方面多家云厂商未来资本开支指引较好,HBM、eSSD等需求旺盛,国内存储IDM厂商和配套供应链公司加速国产替代;另一方面算力下沉趋势确立,嵌入AI大模型的手机/PC/可穿戴等产品存储容量持续提升,边缘侧算力要求带来存算一体等创新加速。大容量存储供不应求,NAND原厂正相继涨价。 1)存储原厂减产效应下整体供需格局进一步改善,NAND等产品价格拐点趋近 供需格局的不同导致存储器不同细分领域表现分化,高端产品需求和价格表现较好,但消费类产品价格持续承压,同时NAND价格表现明显弱于DRAM。 但最近几个季度以来,存储行业发生明显积极变化,高端存储器需求持续旺盛,同时消费类、NAND等过剩产能持续去化,整体供需格局持续边际改善,NAND等部分产品价格拐点趋近,模组等厂商盈利能力亦有望边际修复。 ①供给侧:原厂积极减产尤其是针对NAND部分,2025年针对消费类等传统产品资本支出规划相对保守; ②需求侧:高端产品需求旺盛,消费类产品温和复苏,AI渗透率提升带来存储扩容增量需求; ③库存端:需求温和复苏,原厂减产效应显现,供需格局明显改善,海外龙头厂商库存趋近健康水平; ④价格端:2月以来DDR5等高端DRAM产品价格维持高位,利基DDR3等价格依然有所承压,NANDFlashWafer价格边际改善,部分存储模组厂商预期25Q2部分产品有望迎来价格拐点; ⑤销售端:产品结构改善带来海外龙头收入持续同比复苏,中国台湾存储模组厂商2月收入表现较好,部分厂商表示部分客户备货意愿增强。 2)NAND原厂相继涨价 根据CFM闪存市场报道,NAND原厂闪迪向客户发送涨价函称,闪迪将于2025年4月1日开始涨价超10%,该举措适用于所有面向渠道和消费类产品。 美光同样表示将上调渠道经销商拿货价格。 近日,根据渠道反馈,长江存储零售品牌致态也将于4月起面向渠道上调提货价格,幅度或将超过10%。 2)高端存储器景气延续,国产替代进程加速 24Q4北美互联网云厂商资本开支同比高增长,多家厂商2025年资本开支指引乐观; 三大存储原厂2025年资本开支将聚焦HBM、eSSD等高端存储器扩产,指引景气延续,美光将2025年HBM市场规模指引从250亿美元提升至300亿美元。 国内厂商在高端存储器领域加速追赶,以长存长鑫为代表的厂商分别在多层3DNAND、LPDDR5等领域快速追赶,部分产品性能媲美海外龙头;另外近期韩媒报道,三星将在下一代V10NAND产品上和长存合作,侧面印证了国产存储IDM技术实力。 同时,在美国出口管制加剧的背景下,国内存储厂商,以及HBM等配套设备/材料厂商加速推动国产化进程。 3)AI端侧产品逐步落地,存储模组+利基芯片持续扩容 根据SK海力士指引,2025年AI手机和PC渗透率将分别增长至约30%和30-40%。 近期Deepseek等大模型推出,通过自研分布式训练框架降低单次模型训练成本,显著降低算力需求,使复杂模型在边缘设备(如手机、IoT设备)上运行成为可能,将进一步加速搭载AI大模型的端侧产品落地。 AIPC、手机、可穿戴产品存储模组和利基存储芯片扩容趋势明确, 例如AI手机平均DRAM容量从8GB增至12-16GB、AIPC平均DRAM容量从12GB增至16-64GB、AI耳机NOR容量从64-128Mb增至256Mb。 4)存算一体打破存储“双墙”限制,算力下沉需求加速存储创新 传统服务器计算芯片与存储器采用并行架构,CPU在处理来自片外DRAM数据时,常用数据会被存储在缓存中,一方面,CPU和主内存之间有限带宽会限制数据交换速度,从而形成“存储墙”;另一方面,数据搬运能耗极高,形成“功耗墙”。 存算一体方案应运而生,可通过采用2.5D/3D互联等近存计算或者采用HBM、新型存储器等存内计算的方式,突破存储“双墙”限制。 另外,算力逐步从云端下沉至边缘端,边缘设备除了提出算力需求,还对灵活性、成本、功耗等提出要求,将进一步加速存算一体方案创新, 以华邦电CUBE为代表的定制化存储+堆叠封装方案可用于多种边缘设备,能够在小容量同时实现高带宽。 5)产业链公司 2025年国内存储市场将围绕周期边际复苏+高端存储国产替代+端侧存储扩容及创新三大主线,建议重点关注 ①受益于消费类存储边际复苏的存储模组和利基存储芯片厂商; ②受益于国产高端存储器领域的持续突破、以及HBM配套设备/材料国产替代趋势的标的; ③受益于AI端侧存储扩容和潜在受益于存算一体等创新加速的标的。 关注江波龙、佰维存储、德明利、朗科科技、大为股份等存储模组厂商, 兆易创新、普冉股份、聚辰股份、东芯股份、恒烁股份、北京君正、复旦微电等利基存储芯片厂商, 联芸科技、深科技、有方科技、同有科技、香农芯创等存储产业链配套厂商。 研报来源:招商证券,鄢凡,S1090511060002,供需改善下NAND价格拐点趋近,高端存储和端侧创新带来增量需求,2025年3月17日。 甬兴证券,陈宇哲,S1760523050001,NAND或将涨价,大容量存储供不应求,2025年3月16日。

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