当地时间5月21日，纳微半导体（Navitas）宣布与英伟达合作开发下一代800V高压直流（HVDC）架构，为包括RubinUltra在内的GPU提供支持的"Kyber"机架级系统供电。 具体来看，AI处理器供电第一阶段电压转换（从220V到48V）可用到碳化硅及氮化镓器件；48V降至0.5V阶段可由氮化镓器件完成、最终达到电源转换效率提升；因此相关产品方案随AI应用推进加速渗透。Navitas曾表示，其3.2kW和4.5kW电源方案已有超60个数据中心客户项目研发中，预计25年进入加速放量阶段。 另外，英飞凌5月8日召开的FY25Q2业绩说明会纪要上指出，公司通过将最优质的硅、碳化硅和氮化镓芯片与芯片嵌入等前沿封装技术相结合，实现了卓越的功率密度、能源效率和热性能。 国金证券表示，传统服务器铂金电源依赖SiMOSFET器件，受限于材料物理特性，存在高频开关损耗与发热等问题。与之相比，GaN（氮化镓）材料优势明显，其电子迁移率是Si的10倍，可支持MHz级高频开关，能使动态损耗降低70%；相同功率下拥有超低导通电阻（仅为硅基器件的1/5），可让发热量减少50%。 此外，同为第三代半导体的碳化硅行业也迎来行业重大事件。 据新浪财经5月21日消息，美国碳化硅（SiC）芯片制造商Wolfspeed正准备在数周内申请破产，因其难以解决债务问题。该公司股价当晚大跌近60%。 第一创业表示，总体看，中国厂商已经取得了SiC领域的成本竞争优势，而且在技术上国产8寸已经开始上线，12寸设备也已基本达到可用的技术状态，因此国内SiC已有全面的竞争优势。 Wolfspeed是全球最先量产8寸SiC衬底的厂商，如果Wolfspeed破产，那么会空出大约34%的市场份额，将有利于国内价格战的缓和和市场率的提升。 应用上，一方面，随着30万以上纯电动车型比重提升、400V向800V升级，叠加碳化硅整体成本持续下降，将推动碳化硅模组在中高端车型上的渗透率持续提升。 另一方面，碳化硅材料具备高折射率、高热导性，成为AR眼镜镜片的理想基底材料。基底材料的折射率越高，AR镜片的FOV就更大，单层SiC镜片即可实现80度以上FOV，可以提供更轻薄的尺寸和更大更清晰的视觉效果。 公司方面，以下是部分行业龙头： 中恒电气：公司基于第三代半导体GaN、SiC器件开发了多功率等级的超高效电源产品，目前已有部分型号实现批量销售。 海特高新：公司参股公司华芯科技的氮化镓出货量稳步增长，已与多家国内外企业建立了合作关系。 赛微电子：公司2024年年报中指出，在研项目包括高性能氮化镓器件设计及产业化应用，旨在解决目前制约氮化镓器件在服务器、数据中心以及消费电源端产业化应用面临的技术难题。 国星光电：公司三代半产品主要分为氮化镓与碳化硅，子公司风华芯电生产氮化镓器件产品，目前已量产接单供客户使用。 捷捷微电：公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件。 天岳先进：公司具备8英寸碳化硅衬底量产能力，并且上海临港工厂产能具备6寸和8寸衬底快速切换的生产能力。2024年公司全球首家推出12寸碳化硅衬底。 三安光电：湖南三安已拥有6吋碳化硅配套产能16000片/月，8吋碳化硅衬底、外延产能1000片/月，8吋碳化硅芯片产线正在建设中，拥有硅基氮化镓产能2000片/月。 晶盛机电：公司6-8英寸碳化硅衬底材料技术及规模处于国内前列，量产的6-8英寸碳化硅衬底核心参数指标达到行业一流水平，并成功研发12英寸导电型碳化硅晶体。 *免责声明：文章内容仅供参考，不构成投资建议 *风险提示：股市有风险，入市需谨慎