据界面新闻5月28日报道，三星目标在2025年7~8月通过英伟达的12层HBM3E品质验证测试。 此前IT之家5月27日援引韩媒Financial News报道，三星电子DS设备解决方案部门负责人正在进行内部组织大幅调整。他将三星HBM开发团队细分为标准HBM、定制化HBM、HBM产品工程（PE）及HBM封装等团队。 点评：业内分析认为，随着HBM竞争力成为三星重夺全球DRAM第一宝座的关键因素，三星内部对“拯救 HBM”的需求备感迫切，公司正集中力量进行人力重组，并优化核心技术能力。 据中原证券和CFM闪存市场，2025年，三星计划将HBM3E产能提升三倍。此外，三星存储业务执行副总裁Kim Jae-joon在财报会议上表示，公司已与多家客户合作，开发基于HBM4和增强型HBM4E的定制版本。HBM4的开发细节如期进行，计划于2025年下半年实现量产。HBM4预计将于2026年开始商业供应。 国盛证券指出，随着AI加速芯片的不断更新换代，其搭载的HBM总容量、带宽等规格也持续升级，带动单机HBM容量及价值量快速攀升。根据IntelMarketResearch，2023年全球HBM市场规模约为8.6亿美元，而至2030年，预计全球HBM市场规模将达489.3亿美元，2023至2030年全球年均复合增速达68.08%。 此外其表示，随着AI和HBM的应用近年来迎来爆发，市场对高性能封装解决方案的持续需求，以及新兴技术如芯片互连和异构集成的推动下，2.5D/3D封装技术增速较快，2022-2028年间的复合增速达18.7%。 相关公司见主题库：高带宽存储器HBM  研报来源： 中原证券，邹臣，S0730523100001。半导体行业25Q1稳健增长，端侧AI助力SoC厂商高速成长。2025年5月12日。 国盛证券，郑震湘，S0680524120005。2025电子年度策略AI策略：中流击水，浪遏飞舟。2025年1月14日。 *免责声明：文章内容仅供参考，不构成投资建议 *风险提示：股市有风险，入市需谨慎