据界面新闻报道，3月19日，韩国半导体供应商SK海力士宣布推出面向AI的超高性能DRAM新产品12层HBM4，并在全球首次向主要客户提供其样品。SK海力士表示，公司将在下半年完成量产准备。该产品将在英伟达主办的全球人工智能大会GTC 2025上展出。 三星电子也计划适时开发HBM。 点评：在3月19日凌晨的英伟达 GTC 2025大会上，黄仁勋重磅公布了新一代AI芯片Rubin，也就是Hopper、Blackwell 之后的下一代架构。Vera Rubin NVL144将于2026年下半年推出，而Rubin Ultra NVL576将于2027年下半年推出。 华泰证券指出，Rubin GPU将配备8颗16-Hi HBM4，内存达384GB。HBM4相比HBM3E，采用3D封装逻辑基础裸片（Logic Base Die），支持客户专有IP集成。其3D封装实现存储与逻辑垂直堆叠，简化中介层复杂布线设计，缩小封装尺寸，提高速度与效率。从行业进展看，海力士HBM4量产时间或领先行业，有望2H25量产以配合Rubin推出。 同时招商证券认为，三大存储原厂2025年资本开支将聚焦 HBM、eSSD等高端存储器扩产，指引景气延续，美光将2025年HBM市场规模指引从250亿美元提升至300亿美元。在美国出口管制加剧的背景下，国内存储厂商，以及HBM等配套设备/材料厂商加速推动国产化进程。 相关公司见主题库：高带宽存储器HBM  研报来源： 华泰证券，何翩翩， S0570523020002，GTC 2025前瞻二：Rubin系列或发布，HBM4等性能突破引期待。2025年3月16日 招商证券，鄢凡，S1090511060002，供需改善下 NAND 价格拐点趋近，高端存储和端侧创新带来增量需求。2025年3月17日 *免责声明：文章内容仅供参考，不构成投资建议 *风险提示：股市有风险，入市需谨慎