IT之家14日援引韩国媒体ETNews 报道，苹果公司正在开发多项技术创新，以纪念iPhone问世20周年，其中一项技术是移动高带宽内存（Mobile High Bandwidth Memory，简称 Mobile HBM）。 HBM是一种新型的动态随机存取存储器（DRAM），其通过将存储芯片垂直堆叠，并利用一种名为“硅通孔”（Through-Silicon Vias，TSVs）的微小垂直互连技术连接芯片，从而显著提升信号传输速度。目前，这种技术主要应用于人工智能服务器，因其能够与图形处理单元（GPU）协同支持人工智能处理，也被称作“AI 内存”。 点评：与传统存储技术相比，Mobile HBM能够提供极高的数据吞吐量，同时最大限度地降低功耗和存储芯片的物理尺寸。报道指出，苹果计划将Mobile HBM与Phone的GPU单元相结合，以增强设备上的人工智能处理能力。这种技术有望在不增加功耗或延迟的情况下，支持在设备上运行大型人工智能模型，例如大型语言模型推理或高级视觉任务。 甬兴证券指出，2025年三大存储原厂资本开支聚焦HBM等高端存储器。除了海力士外，三星预计2025年HBM位元供应量同比翻倍增长，HBM3E优化产品预计在25年二季度全面交付，公司HBM4的开发工作正在按计划进行，目标2025年下半年开始量产；美光将2025年HBM市场规模指引从250亿美元提升至300亿美元。 随着SK海力士、三星等厂商的量产推进，以及生成式AI需求的爆发，HBM4有望在2025–2026年成为高性能计算的核心标配，同时推动半导体产业链的协同创新。甬兴证券表示持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。 中泰证券表示，AI算力需求激增下，预计HBM总市场规模从2023年约40亿美元增至2025年的250多亿美元。 天风证券表示，TSV封装的主要优势在于性能优越且封装尺寸较小。使用引线键合的芯片堆叠封装由于堆叠芯片以及连接引脚（Pin）的数量增加，引线变得更加复杂，而且也需要更多空间来容纳这些引线；相比之下，TSV芯片堆叠不需要复杂的布线，封装尺寸更小。同时使用硅通孔堆叠的系统级封装的信号传输路径相比于系统级芯片短得多。 中泰证券认为，TSV工艺为2.5D CoWoS和3D SoIC封装的必备工艺，随着AI芯片需求爆发，有望带来对公司TSV设备需求的快速增长。 相关公司见主题库：高带宽存储器HBM  研报来源： 甬兴证券，陈宇哲，S1760523050001，存储现货横盘调整，大厂或提DRAM/NAND涨价。2025年4月16日  中泰证券，孙颖，S0740519070002，化工&新材料：关注成本端改善方向；重视新疆、西藏民爆机遇。 2025年05月11日 中泰证券，王凯，S0820524120002，TSV工艺为2.5D CoWoS和3D SoIC封装的必备工艺，随着AI芯片需求爆发，有望带来对公司TSV设备需求的快速增长。 2025年03月31日 *免责声明：文章内容仅供参考，不构成投资建议 *风险提示：股市有风险，入市需谨慎