TechInsights 12月25日的报告指出，因AI兴起，尤其在机器学习和深度学习等数据密集型应用中，对高带宽内存需求空前高涨。 预计2025年HBM出货量将同比增长70%，因数据中心和AI处理器越来越依赖这种类型存储器处理低延迟大量数据。HBM需求激增预计将重塑DRAM市场，制造商将优先生产HBM，而非传统DRAM产品。 点评：德邦证券指出，HBM缓解内存墙问题，对AI产业至关重要。HBM的关键在于先进封装。HBM上部分由多层DRAM堆叠组成，不同DRAM芯片之间以及DRAM和逻辑芯片之间利用TSV(硅通孔)和微凸块(Micro bump)实现通道连接。随着海外限制政策或持续收紧，国内HBM产业链有望加速发展，封测厂、设备厂商和材料厂商将持续受益。 另外据华金证券，HBM3E及之前的HBM都是采用DRAM制程的基础裸片，而HBM4基础裸片将采用台积电3nm的先进逻辑工艺，以推动性能和能效进一步提升。随着HBM堆叠层数逐渐增加，存储厂商正积极推动在HBM4中引入无助焊剂键合技术，以进一步缩小DRAM堆叠间距。混合键合技术可最大限度地缩小DRAM的间隙，且没有微凸块电阻，因此信号传输速度更快，热量管理更为高效。 相关公司见主题库：高带宽存储器HBM  研报来源： 德邦证券，陈蓉芳，S0120522060001。HBM芯片：海外限制政策或持续收紧，国产供应链有望深度受益。2024年10月26日。 华金证券，孙远峰，S0910522120001。HBM加速迭代参加美国限制出口，国产自主可控重要性日益凸显。2024年12月5日。 *免责声明：文章内容仅供参考，不构成投资建议 *风险提示：股市有风险，入市需谨慎